casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1070X-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI1070X-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI1070X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1070X-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.55V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 385pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 236mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-89-6 |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1070X-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1070X-T1-E3-FT |
SIE854DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE860DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE860DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE862DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE876DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE878DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE882DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5459DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5418DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel