casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4823DY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4823DY-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI4823DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LITTLE FOOT® |
SI4823DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 660pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4823DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4823DY-T1-GE3-FT |
IRF7702GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7702TR
Infineon Technologies
IRF7702TRPBF
Infineon Technologies
IRF7703
Infineon Technologies
IRF7703GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7703TR
Infineon Technologies
IRF7703TRPBF
Infineon Technologies
IRF7704
Infineon Technologies
IRF7704GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7704TR
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel