casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7704GTRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF7704GTRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF7704GTRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7704GTRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7704GTRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF7704GTRPBF-FT |
PSMN013-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN014-60LS,115
NXP USA Inc.
PSMN017-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN023-80LS,115
NXP USA Inc.
PSMN035-100LS,115
NXP USA Inc.
PSMN3R5-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN3R8-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN5R8-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN7R0-40LS,115
NXP USA Inc.
PSMN9R0-30LL,115
NXP USA Inc.
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel