casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN023-80LS,115
Número de pieza del fabricante | PSMN023-80LS,115 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN023-80LS,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN023-80LS,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 34A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1295pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 65W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
Paquete / Caja | 8-VDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN023-80LS,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN023-80LS,115-FT |
SPB08P06P
Infineon Technologies
SPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
SPB100N03S2-03
Infineon Technologies
SPB100N03S2-03 G
Infineon Technologies
SPB100N03S2L-03
Infineon Technologies
SPB100N03S2L-03 G
Infineon Technologies
SPB100N03S2L03T
Infineon Technologies
SPB100N04S2-04
Infineon Technologies
SPB100N04S2L-03
Infineon Technologies
SPB100N06S2-05
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel