casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4800BDY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4800BDY-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4800BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4800BDY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4800BDY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4800BDY-T1-GE3-FT |
IRF7702
Infineon Technologies
IRF7702GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7702TR
Infineon Technologies
IRF7702TRPBF
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A1020B-VQG80I
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