casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4202DY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4202DY-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4202DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4202DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 710pF @ 15V |
Potencia - max | 3.7W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4202DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4202DY-T1-GE3-FT |
PMWD16UN,518
NXP USA Inc.
PMWD19UN,518
NXP USA Inc.
PMWD20XN,118
NXP USA Inc.
PMWD26UN,518
NXP USA Inc.
PMWD30UN,518
NXP USA Inc.
STC5DNF30V
STMicroelectronics
STC5NF20V
STMicroelectronics
STC5NF30V
STMicroelectronics
STC6NF30V
STMicroelectronics
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel