casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI9933CDY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI9933CDY-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI9933CDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI9933CDY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 665pF @ 10V |
Potencia - max | 3.1W |
Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI9933CDY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI9933CDY-T1-GE3-FT |
SI6969BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6969BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6969DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6969DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6973DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6973DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6981DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6981DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6983DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6983DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP4CE6E22C6N
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel