casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / PMWD19UN,518
Número de pieza del fabricante | PMWD19UN,518 |
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Número de parte futuro | FT-PMWD19UN,518 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMWD19UN,518 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1478pF @ 10V |
Potencia - max | 2.3W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMWD19UN,518 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMWD19UN,518-FT |
SI6963BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6963BDQ-T1-GE3
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SI6966DQ-T1-E3
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