casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI6963BDQ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI6963BDQ-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI6963BDQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI6963BDQ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 830mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6963BDQ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6963BDQ-T1-GE3-FT |
SI1912EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1913DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1913EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1917EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1958DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1965DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1965DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1967DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1967DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX256-PTQ100I
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517C
Xilinx Inc.
APA150-FG144I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC484-3
Intel
EP4SGX290FH29C4N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SGXEB6R3F43C2N
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation