casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI1967DH-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI1967DH-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI1967DH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1967DH-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 910mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 110pF @ 10V |
Potencia - max | 1.25W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-6 (SOT-363) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1967DH-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1967DH-T1-E3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel