casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / IRF5810
Número de pieza del fabricante | IRF5810 |
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Número de parte futuro | FT-IRF5810 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF5810 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 650pF @ 16V |
Potencia - max | 960mW |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF5810 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF5810-FT |
DMC25D0UVT-7
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Vishay Siliconix
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IRF5810
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IRF5810TR
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
A3PN030-ZQNG68I
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XC2V4000-4FFG1517C
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XC3030-100PC68C
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