casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI6963BDQ-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI6963BDQ-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI6963BDQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI6963BDQ-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 830mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6963BDQ-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6963BDQ-T1-E3-FT |
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