casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI3529DV-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI3529DV-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI3529DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3529DV-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A, 1.95A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 205pF @ 20V |
Potencia - max | 1.4W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3529DV-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI3529DV-T1-E3-FT |
SI7980DP-T1-GE3
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A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel