casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI5517DU-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI5517DU-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI5517DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5517DU-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 520pF @ 10V |
Potencia - max | 8.3W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® ChipFet Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5517DU-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI5517DU-T1-GE3-FT |
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
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Infineon Technologies
SI4310BDY-T1-E3
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Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
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AX125-FG256
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C3
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
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Lattice Semiconductor Corporation