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Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-E3

Name: SI2312BDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2312BDS-T1-E3
Price: 0.141224 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (257 reviews)

Número de pieza de MFG: SI2312BDS-T1-E3

Cantidad disponible: 52110 Piezas

Precio de referencia: USD 0.141224

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SI2312BDS-T1-E3.pdf

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SI2312BDS-T1-E3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SI2312BDS-T1-E3
Número de parte futuro	FT-SI2312BDS-T1-E3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI2312BDS-T1-E3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2312BDS-T1-E3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SI2312BDS-T1-E3-FT

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