casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1428EDH-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI1428EDH-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1428EDH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI1428EDH-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-6 |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1428EDH-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1428EDH-T1-GE3-FT |
DMT6004SCT
Diodes Incorporated
DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
DMTH6004SCT
Diodes Incorporated
DMG4N65CT
Diodes Incorporated
DMT6010SCT
Diodes Incorporated
2SK1119(F)
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2SK2544(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2866(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
APT1003RKLLG
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APT11N80KC3G
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XC3S700A-4FGG400C
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5SGSMD5K2F40C2N
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XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
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EP20K160EQC208-1
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