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Vishay Siliconix SI1414DH-T1-GE3

Número de pieza de MFG
SI1414DH-T1-GE3
Cantidad disponible
85560 Piezas
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SI1414DH-T1-GE3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI1414DH-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 560pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Paquete / Caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1414DH-T1-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SI1414DH-T1-GE3-FT

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