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DMG4N60SCT Image

Diodes Incorporated DMG4N60SCT

Número de pieza de MFG
DMG4N60SCT
Cantidad disponible
53520 Piezas
Precio de referencia
USD 0.63072
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Fecha de envío
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-DMG4N60SCT
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMG4N60SCT Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 532pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 113W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG4N60SCT Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMG4N60SCT-FT

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