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Vishay Siliconix IRLI640G

Número de pieza de MFG
IRLI640G
Cantidad disponible
34970 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
- MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRLI640G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Vgs (Max) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1800pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLI640G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRLI640G-FT

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