casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1050X-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI1050X-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1050X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1050X-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 8V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.34A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 585pF @ 4V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 236mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-89-6 |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1050X-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1050X-T1-E3-FT |
SIE808DF-T1-E3
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
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EP20K1000CF33C7N
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