casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SFAF1005GHC0G
Número de pieza del fabricante | SFAF1005GHC0G |
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Número de parte futuro | FT-SFAF1005GHC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFAF1005GHC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacitancia a Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFAF1005GHC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SFAF1005GHC0G-FT |
SRAF850 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF850HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF860 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF860HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF890 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF890HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel