casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SRAF850HC0G
Número de pieza del fabricante | SRAF850HC0G |
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Número de parte futuro | FT-SRAF850HC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAF850HC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 700mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAF850HC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SRAF850HC0G-FT |
SF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel