casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SA2D-E3/5AT
Número de pieza del fabricante | SA2D-E3/5AT |
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Número de parte futuro | FT-SA2D-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SA2D-E3/5AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SA2D-E3/5AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SA2D-E3/5AT-FT |
BYS10-35-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel