casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYS11-90-M3/TR
Número de pieza del fabricante | BYS11-90-M3/TR |
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Número de parte futuro | FT-BYS11-90-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYS11-90-M3/TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 750mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS11-90-M3/TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYS11-90-M3/TR-FT |
BYG10D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel