casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYS10-35-M3/TR
Número de pieza del fabricante | BYS10-35-M3/TR |
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Número de parte futuro | FT-BYS10-35-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYS10-35-M3/TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS10-35-M3/TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYS10-35-M3/TR-FT |
RS1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel