casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34MS02G200BHI000
Número de pieza del fabricante | S34MS02G200BHI000 |
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Número de parte futuro | FT-S34MS02G200BHI000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS02G200BHI000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS02G200BHI000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34MS02G200BHI000-FT |
S34ML01G100BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHB003
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel