casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34ML01G200BHB000
Número de pieza del fabricante | S34ML01G200BHB000 |
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Número de parte futuro | FT-S34ML01G200BHB000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML-2 |
S34ML01G200BHB000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML01G200BHB000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34ML01G200BHB000-FT |
IS29GL256S-10DHV013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02
Cypress Semiconductor Corp
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation