casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL128S10WEI029
Número de pieza del fabricante | S29GL128S10WEI029 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL128S10WEI029 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL128S10WEI029 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Wafer |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL128S10WEI029 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL128S10WEI029-FT |
TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
R1WV6416RBG-5SI#B0
Renesas Electronics America
NSEC00K008-IT
Insignis Technology Corporation
AT88SC0204CA-TH
Microchip Technology
NSEC00K004-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC00K016-IT
Insignis Technology Corporation
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel