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Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG2S3HBAI4

Número de pieza de MFG
TH58NVG2S3HBAI4
Cantidad disponible
26520 Piezas
Precio de referencia
USD 5.096
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Fecha de envío
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fabricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descripción
- 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-TH58NVG2S3HBAI4
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TH58NVG2S3HBAI4 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 63-BGA
Paquete del dispositivo del proveedor 63-BGA (9x11)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58NVG2S3HBAI4 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TH58NVG2S3HBAI4-FT

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