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Número de pieza del fabricante | TH58NVG3S0HBAI6 |
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Número de parte futuro | FT-TH58NVG3S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TH58NVG3S0HBAI6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58NVG3S0HBAI6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TH58NVG3S0HBAI6-FT |
AS7C1024C-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025C-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31025C-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31025C-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20JCN
Alliance Memory, Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel