casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29CD016J0PQAM010
Número de pieza del fabricante | S29CD016J0PQAM010 |
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Número de parte futuro | FT-S29CD016J0PQAM010 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CD-J |
S29CD016J0PQAM010 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (512K x 32) |
Frecuencia de reloj | 66MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 54ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.75V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 80-BQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 80-PQFP (20x20) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29CD016J0PQAM010 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29CD016J0PQAM010-FT |
S26KS256SDGBHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDGBHI030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDGBHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDGBHN030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDPBHN020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDABHV030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDGBHN030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDGBHV030
Cypress Semiconductor Corp
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel