casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S26KS256SDGBHN030
Número de pieza del fabricante | S26KS256SDGBHN030 |
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Número de parte futuro | FT-S26KS256SDGBHN030 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KS |
S26KS256SDGBHN030 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 96ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-FBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS256SDGBHN030 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S26KS256SDGBHN030-FT |
CYK001M16SCAU-70BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CYK512K16SCAU-70BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CYK512K16SCAU-70BAXIT
Cypress Semiconductor Corp
FM21LD16-60-BG
Cypress Semiconductor Corp
FM21LD16-60-BGTR
Cypress Semiconductor Corp
FM23MLD16-60-BG
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1011CV33-12AXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1011CV33-12AXIT
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHBC10
Cypress Semiconductor Corp
S79FL01GSDSBHVC10
Cypress Semiconductor Corp
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel