casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S26KS512SDABHV030
Número de pieza del fabricante | S26KS512SDABHV030 |
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Número de parte futuro | FT-S26KS512SDABHV030 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KS |
S26KS512SDABHV030 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 96ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-FBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS512SDABHV030 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S26KS512SDABHV030-FT |
FM21LD16-60-BGTR
Cypress Semiconductor Corp
FM23MLD16-60-BG
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1011CV33-12AXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1011CV33-12AXIT
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHBC10
Cypress Semiconductor Corp
S79FL01GSDSBHVC10
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHBC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL256P0XBHI210A
Cypress Semiconductor Corp
S70FL256P0XBHI210B
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHB210
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel