casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RV1C002UNT2CL
Número de pieza del fabricante | RV1C002UNT2CL |
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Número de parte futuro | FT-RV1C002UNT2CL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RV1C002UNT2CL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 150mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | VML0806 |
Paquete / Caja | 3-SMD, No Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RV1C002UNT2CL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RV1C002UNT2CL-FT |
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