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Rohm Semiconductor R6008FNJTL

Número de pieza de MFG
R6008FNJTL
Cantidad disponible
63030 Piezas
Precio de referencia
USD 1.3888
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Fecha de envío
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-R6008FNJTL
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
R6008FNJTL Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 580pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor LPTS
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6008FNJTL Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto R6008FNJTL-FT

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