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Rohm Semiconductor RSJ10HN06TL

Número de pieza de MFG
RSJ10HN06TL
Cantidad disponible
80780 Piezas
Precio de referencia
USD 2.52
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Fecha de envío
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-RSJ10HN06TL
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RSJ10HN06TL Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 202nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 11000pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor LPTS
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RSJ10HN06TL Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RSJ10HN06TL-FT

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