casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN4906,LF
Número de pieza del fabricante | RN4906,LF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN4906,LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4906,LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | US6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4906,LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN4906,LF-FT |
RN2965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2969FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2971FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1701JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1702JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1K10TC144-3N
Intel
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
A3PE600-1FGG484I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
5SGXMA4H2F35C3N
Intel
LCMXO2-2000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel
EP2A70F1508C8
Intel