casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN1701JE(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN1701JE(TE85L,F) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN1701JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1701JE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-553 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ESV |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1701JE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1701JE(TE85L,F)-FT |
IMH20TR1G
ON Semiconductor
NSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor
BCR183UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523UE6433HTMA1
Infineon Technologies
IMB1AT110
Rohm Semiconductor
IMB4AT110
Rohm Semiconductor
IMD14T108
Rohm Semiconductor
IMD1AT108
Rohm Semiconductor
IMD8AT108
Rohm Semiconductor
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
AT6002LV-4AC
Microchip Technology
EP4CE15M9I7N
Intel
EP3C25F256C7ES
Intel
EP3SL200F1517I4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
10M04DCU324A7G
Intel