casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN1702JE(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN1702JE(TE85L,F) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN1702JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1702JE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-553 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ESV |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1702JE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1702JE(TE85L,F)-FT |
NSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor
BCR183UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523UE6433HTMA1
Infineon Technologies
IMB1AT110
Rohm Semiconductor
IMB4AT110
Rohm Semiconductor
IMD14T108
Rohm Semiconductor
IMD1AT108
Rohm Semiconductor
IMD8AT108
Rohm Semiconductor
IMH14AT108
Rohm Semiconductor
EPF6010ATC144-1
Intel
LCMXO640C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQG100C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SG
Intel