casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN1702JE(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN1702JE(TE85L,F) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN1702JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1702JE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-553 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ESV |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1702JE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1702JE(TE85L,F)-FT |
NSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor
BCR183UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523UE6433HTMA1
Infineon Technologies
IMB1AT110
Rohm Semiconductor
IMB4AT110
Rohm Semiconductor
IMD14T108
Rohm Semiconductor
IMD1AT108
Rohm Semiconductor
IMD8AT108
Rohm Semiconductor
IMH14AT108
Rohm Semiconductor
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
EP2C35F484C8
Intel
EP2AGZ350HF40I3N
Intel
XC2VP30-6FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel