casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / RN2305(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN2305(TE85L,F) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN2305(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN2305(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | USM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2305(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN2305(TE85L,F)-FT |
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG144CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2
Intel
EP4CE10F17I7N
Intel
5SGSMD5K2F40I3
Intel
5SGXEA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMABK1H40I2N
Intel