casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / RN1101MFV,L3F
Número de pieza del fabricante | RN1101MFV,L3F |
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Número de parte futuro | FT-RN1101MFV,L3F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1101MFV,L3F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VESM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1101MFV,L3F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1101MFV,L3F-FT |
UNR32AE00L
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UNR32AEG0L
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UNR32AM00L
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UNR32AMG0L
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