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Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T)

Número de pieza de MFG
RN1131MFV(TL3,T)
Cantidad disponible
21350 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante RN1131MFV(TL3,T)
Número de parte futuro FT-RN1131MFV(TL3,T)
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RN1131MFV(TL3,T) Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Base del emisor (R2) -
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (Máx.) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición -
Potencia - max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja SOT-723
Paquete del dispositivo del proveedor VESM
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1131MFV(TL3,T) Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RN1131MFV(TL3,T)-FT

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