casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RM25C512C-LSNI-T
Número de pieza del fabricante | RM25C512C-LSNI-T |
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Número de parte futuro | FT-RM25C512C-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM25C512C-LSNI-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | CBRAM® |
Tecnología | CBRAM |
Tamaño de la memoria | 512kb (128B Page Size) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100µs, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C512C-LSNI-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM25C512C-LSNI-T-FT |
RM25C128DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM25C256DS-LSNI-B
Adesto Technologies
RM25C256DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM25C32DS-LSNI-T
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Adesto Technologies
RM25C64DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM24C128DS-LSNI-B
Adesto Technologies
RM24C128DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM24C256DS-LSNI-T
Adesto Technologies
AT45DQ161-SSHF-B
Adesto Technologies
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel