casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RM25C256DS-LSNI-T
Número de pieza del fabricante | RM25C256DS-LSNI-T |
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Número de parte futuro | FT-RM25C256DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM25C256DS-LSNI-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | CBRAM® |
Tecnología | CBRAM |
Tamaño de la memoria | 256kb (64B Page Size) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100µs, 2.5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C256DS-LSNI-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM25C256DS-LSNI-T-FT |
AS6C4008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel