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Número de pieza del fabricante | RM25C256DS-LSNI-T |
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Número de parte futuro | FT-RM25C256DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM25C256DS-LSNI-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | CBRAM® |
Tecnología | CBRAM |
Tamaño de la memoria | 256kb (64B Page Size) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100µs, 2.5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C256DS-LSNI-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM25C256DS-LSNI-T-FT |
AS6C4008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel