casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RM25C128DS-LSNI-T
Número de pieza del fabricante | RM25C128DS-LSNI-T |
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Número de parte futuro | FT-RM25C128DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM25C128DS-LSNI-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | CBRAM® |
Tecnología | CBRAM |
Tamaño de la memoria | 128kb (64B Page Size) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100µs, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C128DS-LSNI-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM25C128DS-LSNI-T-FT |
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C
Alliance Memory, Inc.
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel