casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RL257GP-TP
Número de pieza del fabricante | RL257GP-TP |
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Número de parte futuro | FT-RL257GP-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RL257GP-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R-3, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | R-3 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL257GP-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RL257GP-TP-FT |
MS110/TR8
Microsemi Corporation
MS110E3/TR12
Microsemi Corporation
MS110E3/TR8
Microsemi Corporation
1N6663US
Microsemi Corporation
1N5811US
Microsemi Corporation
1N5554US
Microsemi Corporation
1N6643US
Microsemi Corporation
1N5822US
Microsemi Corporation
1N5553US
Microsemi Corporation
1N5419
Microsemi Corporation
XCS20XL-4TQG144I
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XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
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AGLE600V5-FG256
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ICE40HX4K-BG121
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EP20K1000EFC672-1
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5SGSMD5H2F35I2LN
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LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation