casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5553US
Número de pieza del fabricante | 1N5553US |
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Número de parte futuro | FT-1N5553US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5553US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 9A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5553US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5553US-FT |
1N484B
Microsemi Corporation
1N5194
Microsemi Corporation
1N5195
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DSB0.2A20
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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A3PE600-2FGG484
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LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP20K30EFC144-3
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5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
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XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel