Número de pieza del fabricante | 1N6676 |
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Número de parte futuro | FT-1N6676 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6676 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6676 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6676-FT |
JANTX1N3070-1
Microsemi Corporation
JANTX1N1614
Microsemi Corporation
JANTX1N1204AR
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JANTX1N1190
Microsemi Corporation
JANTX1N1184
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JANS1N5418
Microsemi Corporation
XC3S400A-4FG400I
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A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
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EP4CE6E22C8
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5SGXMA3K2F35C2N
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XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel