casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5811US
Número de pieza del fabricante | 1N5811US |
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Número de parte futuro | FT-1N5811US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5811US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 875mV @ 4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5811US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5811US-FT |
1N4151
Microsemi Corporation
1N4449
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1N4454-1
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1N482B
Microsemi Corporation
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1N5195
Microsemi Corporation
1N5196
Microsemi Corporation
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1N6675
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XC6SLX150-3FGG676C
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XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
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A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
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5SGTMC7K3F40C1N
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XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation