casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJK5020DPK-00#T0
Número de pieza del fabricante | RJK5020DPK-00#T0 |
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Número de parte futuro | FT-RJK5020DPK-00#T0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK5020DPK-00#T0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 118 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK5020DPK-00#T0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RJK5020DPK-00#T0-FT |
RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120BNTB
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RQ3E130BNTB
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XCVU095-2FFVD1517I
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A42MX09-1VQ100
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10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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10AX066K1F35E1SG
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